文章编号：703 / 更新时间：2024-04-25 15:51:58 / 浏览：次

美国的目的暴露了，夺下6台EUV光刻机推进2纳米，反超台积电

日前消息指光刻机巨头ASML预计明年量产10台第二代EUV光刻机，其中6台已确定被美国芯片企业Intel夺下，剩下的两台将由三星和台积电竞争，如此一来拿到更多第二代EUV光刻机的美国可望率先量产2纳米，反超台积电。

一、第二代EUV光刻机的重要性

目前台积电和三星都是以第一代EUV光刻机生产3纳米工艺，导致它们的良率偏低。台积电生产的3纳米采用FinFET技术，保守的态度确保3纳米工艺的良率达到55%，却也导致性能偏低，生产的A17处理器性能仅提升一成而功耗过高。

三星激进地采用GAA技术，3纳米工艺的性能应该会更高，但是3纳米良率却低至两成以下，过低的良率导致三星的3纳米工艺至今没有芯片采用；当然台积电的良率虽然高一些，却也达到5纳米以上工艺的九成以上良率，成本也高。

导致如此结果的原因之一就是第一代EUV光刻机并不适合用于生产3纳米工艺，光刻机已是芯片工艺最重要的设备，为此ASML早就已推进第二代EUV光刻机的研发，第二代EUV光刻机可以用于3纳米以下工艺。

不过第二代EUV光刻机的技术难度太高，需要全球5000家企业配合才能生产出来，导致ASML的研发进程缓慢，量产难度也大，预计明年只能生产10台第二代EUV光刻机，之后也只能增产到每年20台。

二、美国图谋台积电

数年前美国就要求台积电上交机密数据，随即还要求台积电、三星等赴美设厂，并以520亿美元芯片补贴作为诱惑，最终促使它们顺从。

不过随着台积电和三星在美国的工厂推进，美国承诺的芯片补贴最终只是给了台积电10%，三星给13%，超过七成的芯片补贴都给了美国本土的Intel、美光等，随后又给出芯片补贴细则，要求共享技术、利润等，变相促使台积电和三星舍弃补贴。

不给芯片补贴，对于台积电来说可能还是小事，核心技术机密的泄露才是台积电等更担忧的事情，随着台积电交出机密数据，Intel的7纳米工艺就迅速推进，Intel的7纳米工艺被认为等同于台积电的4纳米工艺，如此的巧合让人深思。

Intel此前在14纳米工艺量产后，在10纳米、7纳米工艺的研发方面都遭遇了巨大的困难，足足延迟了9年时间才量产7纳米工艺，而同期台积电的芯片工艺却从落后于Intel到如今遥遥领先。

很显然美国的目的最终还是帮助美国本土的Intel确保技术领先优势，再到如今获取6台第二代EUV光刻机，加速推进2纳米工艺，也就意味着美国即将重夺芯片制造工艺技术领先优势。

三、美国重夺芯片制造技术优势

台积电虽然已量产3纳米工艺，但是由于现有的第一代EUV光刻机并不适合生产3纳米工艺，当然更不适合生产更先进的2纳米工艺，这对台积电来说正带来巨大的困难。

据悉台积电已计划不断改良3纳米工艺，2024年有N3E、N3P，2025年有N3X，似乎显示出它也认识到2纳米工艺研发的难度很大，由此而不得不断延续3纳米工艺的寿命，预计2纳米工艺得在2026年量产。

这一切是如此熟悉，当年Intel在量产14纳米工艺之后，10纳米工艺推进困难，就不断在14纳米工艺上挤牙膏，直到2019年量产10纳米，这样的时间给予台积电反超的机会，如今台积电在3纳米工艺上陷入停滞，Intel反超也就有希望。

Intel在明年获取10台第二代EUV光刻技的6台，有了更先进的光刻机，Intel很可能将在2025年量产2纳米，比台积电提前一年，取得技术领先优势。

美国多年来为了确保自己的技术优势，一再采取了类似的手段，1990年代日本芯片曾占全球芯片市场五成份额，在美国的压制下日本芯片迅速衰败到如今仅占全球芯片市场10%的份额，还有阿尔斯通事件最终确保了美国通用重夺电气市场的优势，如今芯片技术一如以往。

原文标题:美国的目的暴露了，夺下6台EUV光刻机推进2纳米，反超台积电

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